硬件工作流——需求

要我做什么我就得做什么 产品经理定义PPT时,对于做什么是模糊的,往往是“我们要一个XXXX的东西。。。”,其细节实现需要由系统工程师慢慢分解,从各个角度、各种场景分析产品的形态,需要考虑用户的使用方法、使用过程、使用体验。 产品定义初期,只是一个想法,一般由领导决定这个产品的使用场景以及未来的发展方向。这个指示是个灯塔会指引产品的设计方向。 系统工程师做需求分析、场景定义,这个过程需要丰富的经验、精准的直觉才能分析出用户真正使用时的情况。揣摩用户的想法是个邪恶的职业,真正了解用户想法的人才能虏获用户的芳心。 产品设计输入前期会由各个方向反复讨论,定义一个简单的产品模型,分配给各个方向的人去做前期的预研设计。 谈了这么多的设计输入,才能开始说硬件的需求。 Read More

硬件工作流——概述

Mindray工作两年经验总结 我于2015年进入mindray工作,目前正两年。从创业公司进入大企业,经历了不同的管理风格。若是今日不讲出来,恐没有机会。 我是硬件工程师,工作内容主要是原理图设计和预研、PCB布局、协调PCB画板投板、样品申请、板卡测试、EMC整改、协调工装设计和调试、协调生产整机测试。 不多说,根据主次,我将按以下内容逐次讲解: 需求 方案 分析 选型 预研 设计 测试 Read More

一个主机装多个ghost blog

https://yq.aliyun.com/articles/25681 停止相关的服务 虽然我装的时候偷懒没有停止,但是还是停了保险一点,避免出错。 service ghost stop service nginx stop 修改nginx的配置 把原来的ghost文件重命名为makaiqian1.conf,并且复制一份,命名为makaiqian2.conf。这里的makaiqian1和makaiqian2可自定义。 cd /etc/nginx/ Read More

MOSFET 参数

静态参数 Idss D→S漏电流 饱和漏源电流,栅极电压VGS=0时VDS为一定值并产生预夹断时的漏源电流。一般在uA级。 Vth GS开启电压 Vgs>Vth时导通沟道形成 Rds 在特定的 VGS (一般为10V)、结温及漏极电流的条件下,MOSFET导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数,决定了 MOSFET导通时的消耗功率。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。 V(br)ds Read More

MOSFET BASIC

注:本文根据参考资料介绍MOSFET的工作原理,详细说明请下载文档 这里主要针对增强型MOS管进行讲解。其结构如下所示。 上图为一个NMOSFET,G、S、D为3个金属电极,其中S、D的电极接到N+切被P-包围,G极与其他两极绝缘,N+为衬底(高掺浓度),N-为外延层(地掺浓度)。 判断是否为NMOS管主要看衬底是否为N型。 N沟道MOSFET衬底为高掺杂的N+衬底,高掺杂沟道部分的体电阻小。然后上面为为N-的epi层,上面有两个连续的扩散区P-,沟道在P-区形成。在P-区内部, Read More