MOSFET 参数

静态参数 Idss D→S漏电流 饱和漏源电流,栅极电压VGS=0时VDS为一定值并产生预夹断时的漏源电流。一般在uA级。 Vth GS开启电压 Vgs>Vth时导通沟道形成 Rds 在特定的 VGS (一般为10V)、结温及漏极电流的条件下,MOSFET导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数,决定了 MOSFET导通时的消耗功率。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。 V(br)ds Read More

MOSFET BASIC

注:本文根据参考资料介绍MOSFET的工作原理,详细说明请下载文档 这里主要针对增强型MOS管进行讲解。其结构如下所示。 上图为一个NMOSFET,G、S、D为3个金属电极,其中S、D的电极接到N+切被P-包围,G极与其他两极绝缘,N+为衬底(高掺浓度),N-为外延层(地掺浓度)。 判断是否为NMOS管主要看衬底是否为N型。 N沟道MOSFET衬底为高掺杂的N+衬底,高掺杂沟道部分的体电阻小。然后上面为为N-的epi层,上面有两个连续的扩散区P-,沟道在P-区形成。在P-区内部, Read More

Σ-Δ模数转换器(ADC)揭秘

转自MAXIM 摘要:本文深入介绍Σ-Δ模/数转换器(ADC)的工作原理,重点关注难以理解的数字概念:过采样、噪声整形和抽样滤波等。同时包括Σ-Δ转换器的多种应用。 最新的Σ-Δ转换器通常具有较高分辨率、高度集成、低功耗以及较低成本,使其成为过程控制、高精度温度测量以及电子称等应用的上佳ADC选择。但由于设计者往往不太了解Σ-Δ类型的转换器,而选择传统的SAR ADC。 Σ-Δ转换器(1位ADC)的模拟侧非常简单;数字侧执行滤波和抽样,比较复杂,这部分使得Σ-Δ ADC的生产成本较低。为理解转换器工作原理, Read More

心电图仪介绍

转自MAXIM 摘要:本应用笔记介绍了心电图仪(ECG或EKG)的基本架构,讨论心电信号的电子测量和显示的基本原理,简述ECG设备的模拟前端(AFE)及信号通道如何数字化心率信号,讨论了各种ECG应用,包括自动体外除颤仪(AED)、病人监护仪和高端诊断型ECG及其所提供的多种功能。 概述 心电图(ECG或EKG)用于测量随时间变化的心肌电信号,并将测量结果用图形显示出来。ECG的应用范围涵盖了简单的心率监测到特殊的心脏状况诊断。任何应用中,ECG的测试原理是相同的,但设计细节以及对电子元件的要求差别很大,从价格低于$200的便携设备到超过$5000、大小与传真机等同的台式设备。 Read More

无眠的夜

师傅:今夜无风。 徒弟:但愿无眠。 今夜无风,不晴,无雨。 「水烧开了」 「嗯。。」 「肚子胀」 「休息,早点睡」 「唔。。 Zzz」 Read More